·作为全球最佳电动车动力体系的核心器件，碳化硅芯片正向更大年夜的 200毫米晶圆转型，经由过程加快产出以知足全球日益增长的需求

·应用材料公司全新的 200毫米化学机械平坦化（CMP）体系可以或许从晶圆上精确去除碳化硅材料，从而最大年夜程度晋升芯片机能、靠得住性和良率

·应用材料公司全新的碳化硅芯片“热注入”技巧在注入离子的同时，可以或许把对晶体构造的破坏降到最低，从而最大年夜程度晋升发电量和器件良率

2021 年 9 月 8 日，加利福尼亚州圣克拉拉——应用材料公司今日宣布推出多项全新产品以赞助世界领先的碳化硅 （以下简称SiC） 芯片制造商从150毫米晶圆量产转向200毫米晶圆量产，使每个晶圆的芯片数产出近乎翻倍，可知足全球对于卓越的电动车动力体系日益增长的需求。

SiC 电力半导体可以或许将电池电量高效转化为扭力，从而晋升车辆机能并增大年夜里程范围，是以需求旺盛。SiC 的固有特点使其比硅更坚硬，但也存在天然缺点，可能导致电机能、电源效力、靠得住性和良率的降低。是以须要经由过程先辈的材料工程来对未经加工的晶圆进行优化方可量产，并在包管尽可能削减晶格破坏的前提下构建电路。

应用材料公司集团副总裁、 ICAPS事业部总经理 Sundar Ramamurthy表示：“为了助力计算机改革，芯片制造商转而将欲望依附于赓续扩大年夜晶圆尺寸，经由过程明显增长芯片产出来知足增长敏捷的全球需求。现如今，又一波改革初露端倪，这些改革将受益于应用材料公司在工业范围下材料工程范畴的专业常识。”

Cree公司总裁兼 CEO Gregg Lowe表示：“交通运输业的电气化势头迅猛，借助 Wolfspeed 技巧，我们将可以或许藉此拐点引导全球加快从硅向碳化硅转型。经由过程在更大年夜的 200毫米晶圆上交付最高机能的碳化硅电源器件，我们得以晋升终端客户价值，知足日趋增长的需求。”

Lowe 还说道：“应用材料公司的支撑将有助于加快我们在奥尔巴尼的 200毫米工艺制程的技巧验证，我们的莫霍克谷晶圆厂的多项设备安装也在紧锣密鼓进行中，两者助力之下，转型进展敏捷。不仅如斯，应用材料公司的 ICAPS 团队眼下正在开辟烧注入等多项新技巧，拓宽并深化了我们之间的技巧协作，使我们的电力技巧路线图得以快速成长。”

全新 200毫米 SiC CMP 体系

SiC 晶圆外面质量对于 SiC 器件制造至关重要，因为晶圆外面的任何缺点都将传递至后续各层次。为了量产具有最高质量外面的平均晶圆，应用材料公司开辟了 Mirra? Durum? CMP* 体系，此体系将抛光、材料去除测量、清洗和干燥整合到同一个体系内。这一新体系临盆的成品晶圆外面粗拙度仅为机械减薄SiC 晶圆的五十分之一，是批式 CMP工艺体系的粗拙度的三分之一。

为助力行业向200毫米大年夜尺寸晶圆转型，应用材料公司宣布了全新的Mirra? Durum? CMP体系，

它集成抛光、材料去除测量、清洗和干燥于一身，可量产具有极高质量外面的平均晶圆

热注入晋升 SiC 芯片机能和电源效力

在 SiC 芯片制造时代，离子注入在材料内参加掺杂剂，以赞助支撑并引导大年夜电流电路内的电流流动。因为 SiC 材料的密度和硬度，要进行掺杂剂的注入、精确构造和活化的难度异常之大年夜，同时还要最大年夜程度降低对晶格的破坏，避免机能和电源效力的降低。应用材料公司经由过程其全新的 VIISta? 900 3D 热离子注入体系为150毫米和200毫米 SiC 晶圆破解了这一难题。这项热注入技巧在注入离子的同时，可以或许将对晶格构造的破坏降到最低，产生的电阻率仅为室温下注入的四十分之一。

应用材料公司全新VIISta? 900 3D热离子注入体系可向200毫米和150毫米碳化硅晶圆注入和扩散离子，

产生的电阻率仅为室温下注入的四十分之一

应用材料公司的ICAPS（物联网、通信、汽车、功率和传感器）事业部正在为 SiC 电源芯片市场开辟更多具备 PVD*、CVD*、刻蚀和工艺控制的产品。应用材料公司在美国时光9月8日举办的 2021 年 ICAPS 和封装大年夜师课程上，具体商量了公司在助力 SiC 和其它特别半导体技巧成长中所发挥的感化。

*CMP = 化学机械平坦化 PVD = 物理气相沉积 CVD = 化学气相沉积